RN1105MFV,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

2.2 kOhms

Rapporto resistore tipico:

0.0468

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-723-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Serie:

RN1105

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.2 mm

Tipo:

Transistor epitassiale al silicio NPN

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Tags

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