2SAR562F3TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN2020-3S

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 150 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 7 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2SAR562F3

Tags

2SAR5, 2SAR, 2SA