IRF7501TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Micro-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

135 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

5.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.11 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

2.6 S

Tempo di caduta:

16 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.7 ns

Parte # Alias:

SP001575316

Tags

IRF7501, IRF750, IRF75, IRF7, IRF