3LN01M-TL-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

150 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.9 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.58 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

3LN01M

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

120 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

155 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

3LN01M-TL, 3LN01M-T, 3LN01M, 3LN01, 3LN0, 3LN