SSM6N7002FUTE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

SSM6N7002

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

170 mS

Tempo di caduta:

72 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

72 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

69 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SSM6N7002F, SSM6N7, SSM6N, SSM6, SSM