DDTD123YC-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

2.2 kOhms

Rapporto resistore tipico:

0.22

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

56

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Corrente continua del collettore:

500 mA

Corrente di picco del collettore CC:

500 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DDTD123

Confezione:

Bobina

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DDTD123YC, DDTD123Y, DDTD123, DDTD12, DDTD1, DDTD, DDT