NVMFS4C05NWFT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-FL-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

116 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.61 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

NVMFS4C05N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Tags

NVMFS4C05, NVMFS4C0, NVMFS4C, NVMFS4, NVMFS, NVMF, NVM