DMT10H009LCG-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

V-DFN3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

47 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

14.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.4 ns

Tags

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