TSC966CT A3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

600 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

300 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Confezione:

Bobina

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Corrente continua del collettore:

0.3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

90

Pd - Dissipazione di potenza:

900 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.007654 oz

Tags

TSC966, TSC96, TSC9, TSC