US6M2GTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TUMT-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V, 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A, 1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V, 2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.6 nC, 2.1 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

6 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns, 8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6