2N7002-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

210 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

223 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

540 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

2N7002

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tempo di caduta:

5.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.8 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

2N7002-7-F, 2N7002-7, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7