SSM3K357R,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23F-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

650 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM3K357R

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

500 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

3000 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

990 ns

Tags

SSM3K35, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM