UMF9NTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-88-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, NPN

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

UMF9N

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

80 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

UMF9N

Tags

UMF9, UMF