ATF-50189-TR2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Broadcom Limited

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

efemità

Tecnologia:

GaAs

Guadagno:

15.5 dB

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

7 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 5 V to 0.8 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Tensione massima della porta di drenaggio:

- 5 V to + 1 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.25 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

2 GHz

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaAs EpHEMT

Marca:

Broadcom / Avago

Transconduttanza diretta - Min:

2294 mmho

NF - Figura di rumore:

1.1 dB

P1dB - Punto di compressione:

29 dBm

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

ATF-50189-T, ATF-5018, ATF-50, ATF-5, ATF