FQB22P10TM-F085

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

125 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.75 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

QFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FQB22P10TM_F085

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

110 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

170 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Parte # Alias:

FQB22P10TM_F085

Unità di peso:

0.045856 oz

Tags

FQB22P10T, FQB22P, FQB22, FQB2, FQB