IPU60R1K5CEBKMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Parte # Alias:

IPU60R1K5CE SP001276062

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

IPU60R1K5, IPU60R1, IPU60R, IPU60, IPU6, IPU