OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Carrello

TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6
Mfr. #:
TC58BVG0S3HBAI6
Produttore:
Toshiba Memory
Descrizione:
NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TC58BVG0S3HBAI6 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TC58BVG0S3HBAI6 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
VFBGA-67
Dimensione della memoria:
1 Gbit
Tipo di interfaccia:
Parallelo
Organizzazione:
128 M x 8
Larghezza bus dati:
8 bit
Tensione di alimentazione - Min:
2.7 V
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Corrente di alimentazione - Max:
30 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Confezione:
Vassoio
Tipo di memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Frequenza massima di clock:
-
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
NAND Flash
Quantità confezione di fabbrica:
338
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
TC58BVG0S3HB, TC58BVG0, TC58BVG, TC58BV, TC58B, TC58, TC5
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA
***ronik
BENAND-Flash 128Mx8 3.3V BGA67
***et
1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TC58BVG0S3HBAI6
DISTI # V99:2348_13898472		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 3.3V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA163
  • 5000:$1.2380
  • 2500:$1.3360
  • 1000:$1.3719
  • 250:$1.4710
  • 100:$1.5320
  • 50:$1.7000
  • 10:$1.7410
  • 1:$1.9180
TC58BVG0S3HBAI6
DISTI # TC58BVG0S3HBAI6-ND		Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 338:$2.4482
TC58BVG0S3HBAI6
DISTI # TC58BVG0S3HBAI6		Toshiba America Electronic Components1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V - Trays (Alt: TC58BVG0S3HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 338:$2.1900
  • 340:$2.1900
  • 678:$2.0900
  • 1690:$2.0900
  • 3380:$2.0900
TC58BVG0S3HBAI6
DISTI # 757-TC58BVG0S3HBAI6		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		338
  • 1:$3.0600
  • 10:$2.7500
  • 50:$2.7000
  • 100:$2.4100
  • 250:$2.3400
  • 500:$2.3300
  • 1000:$2.1700
  • 2500:$2.1300
Immagine Parte # Descrizione
THGAMRT0T43BAIR

Mfr.#: THGAMRT0T43BAIR

OMO.#: OMO-THGAMRT0T43BAIR

 eMMC 128GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C
THGBMHT0C8LBAIG

Mfr.#: THGBMHT0C8LBAIG

OMO.#: OMO-THGBMHT0C8LBAIG

 eMMC 128GB 15nm eMMC (EEPROM)
TH58NVG5S0FTA20

Mfr.#: TH58NVG5S0FTA20

OMO.#: OMO-TH58NVG5S0FTA20

 NAND Flash 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6

 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG

 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND
TC58BYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NVG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NVG1S3EBAI5

 NAND Flash 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
THGAF8G8T23BAIL

Mfr.#: THGAF8G8T23BAIL

OMO.#: OMO-THGAF8G8T23BAIL

 Universal Flash Storage (UFS) 32GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
THGAF8T1T83BAIR

Mfr.#: THGAF8T1T83BAIR

OMO.#: OMO-THGAF8T1T83BAIR

 Universal Flash Storage (UFS) 256GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 SLC NAND with SPI Interface
Disponibilità
Azione:
338
Su ordine:
2321
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di TC58BVG0S3HBAI6 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
2,77 USD
2,77 USD
10
2,49 USD
24,90 USD
25
2,45 USD
61,25 USD
50
2,44 USD
122,00 USD
100
2,18 USD
218,00 USD
250
2,11 USD
527,50 USD
500
2,10 USD
1 050,00 USD
1000
1,96 USD
1 960,00 USD
2500
1,87 USD
4 675,00 USD
Iniziare con
Top