BSS138-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Tecnologia Comchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

0.22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.35 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Stile di terminazione:

SMD/SMT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologia Comchip

Transconduttanza diretta - Min:

0.12 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Tags

BSS138, BSS13, BSS1, BSS