CJD200 BK

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

65 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CJD200

Altezza:

2.75 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

5.7 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

1400 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

150

sottocategoria:

transistor

Nome depositato:

DPAK POWER

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

CJD200, CJD20, CJD2, CJD