FCU3400N80Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 30 V

Qg - Carica cancello:

7.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

32 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.3 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Serie:

FCU3400N80Z

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

2 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

FCU3, FCU