CSD23382F4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PICOSTAR-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

76 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.04 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.35 mm

Lunghezza:

1 mm

Serie:

CSD23382F4

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

0.64 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

3.4 S

Kit di sviluppo:

CSD1FPCHEVM-890

Tempo di caduta:

41 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

66 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.000014 oz

Tags

CSD2338, CSD233, CSD23, CSD2, CSD