STW30NM60N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

130 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

190 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.15 mm

Lunghezza:

15.75 mm

Serie:

STB30NM60N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

70 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

125 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

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