STD24N06LT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

24 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

36 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.88 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.22 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

NTD24N06L

Tipo:

-

Larghezza:

6.73 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

19 S

Tempo di caduta:

52 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

97 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.4 ns

Parte # Alias:

STD24N06LT4G-VF01

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD24, STD2, STD