KSC1008GBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

0.7 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

0.7 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

KSC1008G, KSC1008, KSC100, KSC10, KSC1, KSC