ZXMN10A08DN8TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

250 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

ZXMN10

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

2.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

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