BSD840N H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

880 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

270 mOhms, 270 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

260 pC, 260 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

BSD840

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S, 2.5 S

Tempo di caduta:

900 ps, 900 ps

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.2 ns, 2.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.8 ns, 7.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.9 ns, 1.9 ns

Parte # Alias:

BSD840NH6327XTSA1 BSD84NH6327XT SP000917654

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

BSD840NH, BSD84, BSD8, BSD