PBSS4021SPN,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

185 mV, - 235 mV

Corrente massima del collettore CC:

7.5 A, - 6.3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

115 MHz, 105 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

+ 7.5 A, - 6.3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300

Pd - Dissipazione di potenza:

860 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

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