2N1482

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

55 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

1.5 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N1482

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35

Pd - Dissipazione di potenza:

5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N1482 PBFREE

Unità di peso:

0.035486 oz

Tags

2N148, 2N14, 2N1