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A2G22S190-01SR3

A2G22S190-01SR3
Mfr. #:
A2G22S190-01SR3
Produttore:
NXP Semiconductors
Descrizione:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
A2G22S190-01SR3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
A2G22S190-01SR3 maggiori informazioni A2G22S190-01SR3 Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
NXP
Categoria di prodotto:
Transistor MOSFET RF
RoHS:
Y
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
GaN Si
Id - Corrente di scarico continua:
19 mA
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
150 V
Guadagno:
16.5 dB
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
NI-400S-2
Confezione:
Bobina
Frequenza operativa:
1800 MHz to 2200 MHz
Serie:
A2G22S190
Tipo:
MOSFET di potenza RF
Marca:
Semiconduttori NXP
Numero di canali:
1 Channel
Tipologia di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Quantità confezione di fabbrica:
250
sottocategoria:
MOSFET
Vgs - Tensione Gate-Source:
- 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 2.3 V
Parte # Alias:
935372783118
Tags
A2G22S1, A2G22, A2G2, A2G
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RF Power GaN Portfolio
NXP Semiconductors RF Power Gallium Nitride (GaN) Portfolio provides state of the art linearizability and RF performance that enables 5G deployment. These transistors offer solutions for cellular infrastructure, defense, and industrial markets. The GaN transistors provide wideband performance and high-frequency operation. These transistors feature end-to-end applications, solution support, and high-volume production. The GaN transistors come with advanced GaN on SiC technology that offers high power density. These transistors are designed for cellular base station applications.
Immagine Parte # Descrizione
A2G22S160-01SR3

Mfr.#: A2G22S160-01SR3

OMO.#: OMO-A2G22S160-01SR3

 RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V
A2G22S190-01SR3

Mfr.#: A2G22S190-01SR3

OMO.#: OMO-A2G22S190-01SR3

 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
A2G22S160-01SR3

Mfr.#: A2G22S160-01SR3

OMO.#: OMO-A2G22S160-01SR3-NXP-SEMICONDUCTORS

 IC TRANS RF LDMOS
A2G22S160

Mfr.#: A2G22S160

OMO.#: OMO-A2G22S160-1190

 Nuovo e originale
A2G22S160--01SR3

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OMO.#: OMO-A2G22S160--01SR3-1190

 Nuovo e originale
A2G22S160-01S

Mfr.#: A2G22S160-01S

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