IPD13N03LA G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21.9 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

46 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

36 S / 18 S

Tempo di caduta:

2.6 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.4 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPD13N03LAG, IPD13N03, IPD13N0, IPD13N, IPD13, IPD1, IPD