PTFA080551E V1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

600 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 mOhms

Guadagno:

18.5 dB

Potenza di uscita:

55 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H-36265-2

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Altezza:

3.56 mm

Lunghezza:

20.31 mm

Frequenza operativa:

869 MHz to 960 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

15.34 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Pd - Dissipazione di potenza:

219 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Tags

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