UT6K30TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN2020-8D

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

153 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

2.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

9.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.9 ns

Parte # Alias:

UT6K30

Tags

UT6K, UT6