IXTT500N04T2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

405 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 kW

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.1 mm

Lunghezza:

14 mm

Serie:

IXTT500N04

Tipo:

TrenchT2 Power MOSFET

Larghezza:

16.05 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

75 S

Tempo di caduta:

44 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

68 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

37 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT50, IXTT5, IXTT, IXT