TK3R1P04PL,RQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

130 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

60 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

87 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TK3R1P04PL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

72 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.007055 oz

Tags

TK3R1P, TK3R1, TK3R, TK3