PMZ600UNEZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

600 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

0.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

715 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

51 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.6 ns

Parte # Alias:

934068653305

Tags

PMZ6, PMZ