MT3S113P(TE12L,F)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Serie:

MT3S113P

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

SiGe

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

5.3 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

0.6 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-62-3

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

7.7 GHz

Marca:

Toshiba

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.001764 oz

Tags

MT3S113P(T, MT3S113P, MT3S113, MT3S11, MT3S1, MT3S, MT3