ZXMN10A25KTC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

125 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.11 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

ZXMN10A

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

9.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.9 ns

Tags

ZXMN10A2, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM