IXFT52N50P2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

52 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

960 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFT52N50

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

PolarP2 HiperFET Power MOSFET

Marca:

IXYS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.158733 oz

Tags

IXFT52, IXFT5, IXFT, IXF