QS6M4TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-457T-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V, 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

260 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

QS6M4

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

18 ns, 12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns, 12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 10 ns

Parte # Alias:

QS6M4

Unità di peso:

0.000494 oz

Tags

QS6M4, QS6M, QS6