TSM3N80CZ C0G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

19 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

94 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

MOSFET di potenza a canale N

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

3.7 S

Tempo di caduta:

41 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

36 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

106 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

48 ns

Tags

TSM3N8, TSM3N, TSM3, TSM