PBSS5230PAP,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-2020-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 75 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

95 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

370

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

260

Pd - Dissipazione di potenza:

1450 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

PBSS523, PBSS52, PBSS5, PBSS, PBS