Jan2N3485A/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-46-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.6 V

Corrente massima del collettore CC:

600 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 150 mA, 10 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40 at 100 uA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

Jan2N348, JAN2N34, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN