PMXB56ENZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1010D-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

49 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 s

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 s

Unità di peso:

0.000042 oz

Tags

PMXB5, PMXB, PMX