TH58NYG2S3HBAI6

TH58NYG2S3HBAI6
Mfr. #:
TH58NYG2S3HBAI6
Produttore:
Toshiba Memory
Descrizione:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TH58NYG2S3HBAI6 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
VFBGA-67
Dimensione della memoria:
4 Gbit
Tipo di interfaccia:
Parallelo
Organizzazione:
512 M x 8
Larghezza bus dati:
8 bit
Tensione di alimentazione - Min:
1.7 V
Tensione di alimentazione - Max:
1.95 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Confezione:
Vassoio
Tipo di memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
NAND Flash
Quantità confezione di fabbrica:
210
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
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NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM
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8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NYG4S0FBAID

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Nuovo e originale
TH58NYG3S0HBAI4-ND

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NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
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