SSM6N61NU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UDFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

108 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

3.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

SSM6N61

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

Silicio N-Channel MOS

Larghezza:

2 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM