NTF5P03T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.13 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.57 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

NTF5P03

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2 S

Tempo di caduta:

20 ns, 24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns, 45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns, 23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 16 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

NTF5P03T3, NTF5P03T, NTF5P, NTF5, NTF