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CY14V101PS-SF108XI

CY14V101PS-SF108XI
Mfr. #:
CY14V101PS-SF108XI
Produttore:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CY14V101PS-SF108XI Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CY14V101PS-SF108XI maggiori informazioni CY14V101PS-SF108XI Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Semiconduttore di cipresso
Categoria di prodotto:
NVRAM
RoHS:
Y
Pacchetto/custodia:
SOIC-16
Tipo di interfaccia:
SPI
Dimensione della memoria:
1 Mbit
Organizzazione:
128 k x 8
Larghezza bus dati:
8 bit
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Tensione di alimentazione - Min:
2.7 V
Corrente di alimentazione operativa:
33 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Serie:
CY14V101
Confezione:
Tubo
Marca:
Semiconduttore di cipresso
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Sensibile all'umidità:
sì
Pd - Dissipazione di potenza:
1 W
Tipologia di prodotto:
NVRAM
Quantità confezione di fabbrica:
92
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Unità di peso:
0.023492 oz
Tags
CY14V101P, CY14V101, CY14V10, CY14V1, CY14V, CY14, CY1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC Tube
***et
1MB NVSRAM WITH A QUAD SERIAL PERIPHERAL INTERFACE
***i-Key
IC NVSRAM 1M SPI 108MHZ 16SOIC
***ark
Nv Sram, 1Mbit, Soic-16; Memory Size:1Mbit; Memory Organisation:128K X 8Bit; Read Access Time:10Ns; Write Access Time:10Ns; Supply Voltage Min:2.7V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:soic; No. Of Pins:16Pins; Ic Interface Rohs Compliant: Yes
CY14V101 1-Mb Quad SPI nvSRAM
Cypress Semiconductor CY14V101 1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM couples a 1-Mbit nvSRAM with a QPI interface. The QPI enables writing and reading of the memory in either a single (one I/O channel for one bit per clock cycle), dual (two I/O channels for two bits per clock cycle), or quad (four I/O channels for four bits per clock cycle) through the use of specific opcodes. The memory is organized as 128Kbytes each consisting of SRAM and nonvolatile SONOS FLASH Quantum Trap cells. The SRAM provides infinite read and write cycles, while the nonvolatile cells provide storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile cells (STORE operation) occur automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile cells (RECALL operation). Users may also initiate the STORE and RECALL operations through SPI instructions.Learn More
Immagine Parte # Descrizione
C1206C184KARACAUTO

Mfr.#: C1206C184KARACAUTO

OMO.#: OMO-C1206C184KARACAUTO

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250V 0.18uF X7R 1206 10% AEC-Q200
Disponibilità
Azione:
22
Su ordine:
2005
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
13,74 USD
13,74 USD
10
12,91 USD
129,10 USD
25
12,55 USD
313,75 USD
50
12,40 USD
620,00 USD
100
11,05 USD
1 105,00 USD
250
10,50 USD
2 625,00 USD
500
10,40 USD
5 200,00 USD
1000
10,05 USD
10 050,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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