IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
Mfr. #:
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
Produttore:
ISSI
Descrizione:
SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
SRAM
RoHS:
Y
Dimensione della memoria:
4 Mbit
Organizzazione:
512 k x 8
Orario di accesso:
20 ns
Tipo di interfaccia:
Parallelo
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Tensione di alimentazione - Min:
3 V
Corrente di alimentazione - Max:
100 mA
Temperatura di esercizio minima:
0 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 70 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TSOP II-44
Confezione:
Bobina
Tipo di memoria:
SDR
Serie:
AS7C34096A-20
Tipo:
asincrono
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
SRAM
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
IS66WVE4M16E, IS66WVE4, IS66WVE, IS66WV, IS66W, IS66, IS6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
PSRAM Async 64M-Bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA T/R
***ark
64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V
***i-Key
IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
Pseudo SRAM/CellularRAM
ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has a SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature which does not require physical refresh. These CellularRAM devics are designed in accordance to the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.
Immagine Parte # Descrizione
IS66WVE4M16EBLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE4M16EBLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16EBLL-70BLI

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE4M16ECLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE4M16ECLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16ECLL-70BLI

SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

Mfr.#: IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR

Mfr.#: IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR

SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
IS66WVE4M16EBLL-55BLI

Mfr.#: IS66WVE4M16EBLL-55BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16EBLL-55BLI

SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
IS66WVE4M16EBLL-70BLI

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OMO.#: OMO-IS66WVE4M16EBLL-70BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE4M16EALL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE4M16EALL-70BLI

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SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
IS66WVE4M16ECLL-70BLI

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SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
IS66WVE4M16EBLL-55BLI

Mfr.#: IS66WVE4M16EBLL-55BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16EBLL-55BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-T

Mfr.#: IS66WVE4M16EBLL-70BLI-T

OMO.#: OMO-IS66WVE4M16EBLL-70BLI-T-1190

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