UJ3N120035K3S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

UnitedSiC

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Configurazione:

Separare

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

63 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Pd - Dissipazione di potenza:

429 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

UJ3N

Confezione:

Tubo

Marca:

UnitedSiC

Tipologia di prodotto:

JFET

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Tags

UJ3N, UJ3