BSS223PW H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

390 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

2.5 V

Qg - Carica cancello:

- 0.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

BSS223

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

0.35 S

Tempo di caduta:

3.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.8 ns

Parte # Alias:

BSS223PWH6327XT BSS223PWH6327XTSA1 SP000843010

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BSS223PWH, BSS223, BSS22, BSS2, BSS